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J-GLOBAL ID：200903027861074820

高量子効率のための角度を持たせたピンフォトダイオードとその製法

Inventor：
ホワード、イー.ローズ

About ホワード、イー.ローズ


Applicant, Patent owner：
マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド

About マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド


Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006521879
Publication number (International publication number)：2007500444
Application date： Jul. 15, 2004
Publication date： Jan. 11, 2007
Summary：
ゲート構造の電気的活性部分から横方向にずらされている第一の導電型の表面層と、角度を持たせた注入により形成された第二の導電型の電荷収集領域とを備えたピンフォトダイオードが開示される。電荷収集領域の注入角度は、電荷収集領域が画素センサセルの転送ゲートの近傍短部とコンタクトがとられ、従って、ゲートオーバラップ領域及び望ましくないバリア電位を最小限に抑えるように調整することができる。
Claim (excerpt)：
撮像装置において用いられるフォトダイオードであって、 基板内に形成され、約0オングストローム乃至約5、000オングストロームの距離だけ電荷転送トランジスタのゲートの電気的活性部分から横方向にずらされている第一の導電型の第一の層と、 光学的に発生する電荷を蓄積するために前記第一の層下部に形成された第二の導電型の電荷収集領域とを備え、前記電荷収集領域は前記トランジスタゲートの近傍にあり、前記ゲートが前記電荷収集領域に蓄積された電荷を前記第二の導電型のドープ領域に転送するフォトダイオード。
IPC (3)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (5)：
H01L27/14 A ,  H01L31/10 A ,  H04N5/335 U ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 F
F-Term (25)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5F049MA12 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049UA14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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