Pat
J-GLOBAL ID：200903035622806103

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor：
国井 正文

About 国井 正文


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995168097
Publication number (International publication number)：1996340117
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：
【要約】【目的】 低温プロセスで半導体薄膜に対する不純物の均一な低濃度ドーピングを実現する。【構成】 半導体成膜ガスにドーパントガスを混合した原料気体を用いて化学気相成長を行ない、トランジスタの活性層となるべき非単結晶性の半導体薄膜2を絶縁基板1上に堆積する。エネルギービーム3を照射して半導体薄膜2に含まれるドーパントを活性化し予めトランジスタの閾電圧を調整しておく。半導体薄膜2を加工してトランジスタを集積形成する。
Claim (excerpt)：
半導体成膜ガスにドーパントガスを混合した原料気体を用いて化学気相成長を行ない、トランジスタの活性層となるべき非単結晶性の半導体薄膜を絶縁基板上に堆積する成膜工程と、エネルギービームを照射して半導体薄膜に含まれるドーパントを活性化し予めトランジスタの閾電圧を調整しておく照射工程と、該半導体薄膜を加工してトランジスタを集積形成する加工工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12
FI (6)：
H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 618 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM