モノリシックOEIC用埋め込み光電子材料を備えたシリコンウエハ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：吉田研二 , 石田純
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002518590
Publication number (International publication number)：2004506336
Application date： Aug. 01, 2001
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

Siウエハに埋め込まれた光学活性層を有する構造であり、CMOS加工装置に露出される外側のエピタキシャル層が常にSiまたは他のSiO2などのCMOS対応材料となっている。光電子層が完全にSiに取り囲まれているため、ウエハは十分に標準SiCMOS製造に対応する。Siのバンドギャップ(1.1μm)より長い光の波長に対してSiが完全に透明であるため、光信号は、通常の入射(Si基板または上部Siキャップ層を介する)または面内入射(端部結合)のいずれかを利用して、埋め込み光電子層と外部導波路との間を透過することができる。

Claim (excerpt)：

半導体へテロ構造であって、 Si基板と、前記基板上の光学活性半導体材料であって、該光学活性半導体材料が前記基板に対して格子不整合であるとともに実質的に緩和されている、光学活性半導体材料と、前記光学活性半導体材料上のキャップ層であって、該キャップ層がSiからなる、キャップ層と、を備えることを特徴とする半導体へテロ構造。

IPC (4)：

H01L21/20 , H01L21/02 , H01L27/15 , H01L29/26

FI (4)：

H01L21/20 , H01L21/02 B , H01L27/15 , H01L29/26

F-Term (10)：

5F052DA01 , 5F052DA03 , 5F052DA04 , 5F052DA05 , 5F052EA02 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F052JA08 , 5F052KA01 , 5F052KB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光電子集積回路素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-079421 Applicant：株式会社村田製作所
特開平2-194519
複合基板とその製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-255009 Applicant：株式会社日立製作所

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