光電子集積回路素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998079421
Publication number (International publication number)：1999274467
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】シリコン基板上に化合物半導体からなる発光層をモノリシックに集積したOEIC素子を提供する。【解決手段】シリコン基板上に電子回路部と光回路部とを有し、同じくシリコン基板上に形成された化合物半導体からなる発光層を介して前記電子回路部の電気信号と前記光回路部の光信号との変換を行う光電子集積回路素子であって、前記シリコン基板上にはZnO膜が形成され、該ZnO膜上に前記発光層を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に電子回路部と光回路部とを有し、同じくシリコン基板上に形成された化合物半導体からなる発光層を介して前記電子回路部の電気信号と前記光回路部の光信号との変換を行う光電子集積回路素子であって、前記シリコン基板上にはZnO膜が形成され、該ZnO膜上に前記発光層を形成したことを特徴とする光電子集積回路素子。

IPC (3)：

H01L 27/15 , H01L 21/203 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 27/15 B , H01L 21/203 M , H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-192075 Applicant：日本電気株式会社
機能素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-265551 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
半導体装置,及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-321725 Applicant：三菱電機株式会社

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