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J-GLOBAL ID：200903083026293527
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995281598
Publication number (International publication number)：1997127352
Application date： Oct. 30, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】Si素子と化合物半導体素子が集積された、実用的かつ高性能の集積化素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】Si基板上の一部に、直接接着法によって、半導体素子が形成されてあるSi膜を、Si酸化膜を介して作製し、上記Si基板上の他の部分上に、化合物半導体素子を直接接着により作製し、Si素子と化合物半導体素子を一体化して集積する。【効果】Si基板、Si素子および化合物半導体素子の面方位を、それぞれ独立して決めることができ、高い機能を有する各種集積化素子を、高い歩留まりで容易に形成できる。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコンからなる半導体基板の表面の第1の領域上に、絶縁膜を介して形成された単結晶シリコンからなる第1の半導体層と、上記半導体基板の上記第1の領域とは異なる第2の領域上に形成された、単結晶化合物半導体からなる第2の半導体層を少なくとも具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
G02B 6/13
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01S 3/18
, H01L 27/15
G02B 6/12 M
, H01L 27/12 B
, H01S 3/18
, H01L 27/15 B
, H01L 29/78 613 Z
Cited by examiner (5)
-
半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-070396
Applicant：キヤノン株式会社
-
化合物半導体装置、その製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-073437
Applicant：株式会社日立製作所
-
シリコンと3族-5族半導体材料とを接合する方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-129873
Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
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