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J-GLOBAL ID：200903028045553717

半導体光デバイス装置及びその製造方法

Inventor： 下山 謙司 ,  天内 英隆
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 釜田 淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999366148
Publication number (International publication number)：2001185809
Application date： Dec. 24, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 低しきい値電流及び高効率を維持しつつ、高出力においてもCODを受けることがない高性能な半導体光デバイス装置を提供すること。【解決手段】 基板上に形成された活性層、該活性層の上下に形成された活性層より屈折率の小さい層を有する半導体光デバイス装置において、端部近傍かつ前記活性層の下側に電流ブロック領域または電流ブロック層が形成されていることを特徴とする半導体光デバイス装置。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された活性層、該活性層の上下に形成された活性層より屈折率の小さい層を有する半導体光デバイス装置において、端部近傍かつ前記活性層の下側に電流ブロック領域または電流ブロック層が形成されていることを特徴とする半導体光デバイス装置。

IPC (2)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/223

FI (2)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/223

F-Term (13)：

5F073AA09 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073CA07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA12 ,  5F073DA23 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特開平3-126283
  
• 特開平3-187284
  
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-223269   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-089855   Applicant：三洋電機株式会社
• 光情報処理装置およびこれに適した半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-074719   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにIII-V族化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-083427   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-283677
  
• 特開昭64-068995
  
• 特開昭64-010689
  
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-079020   Applicant：三菱化学株式会社