半導体発光装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：釜田淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999079020
Publication number (International publication number)：1999340585
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は簡便な方法で製造することが可能で、レーザ特性が安定している、リッジ導波型ストライプ構造を有する半導体発光素子を提供すること。【解決手段】表面が低次の面方位に対してオフアングルを有する基板上に、活性層を有する化合物半導体層、該化合物半導体層の上に形成され且つ電流が注入されるストライプ領域に対応する領域に開口部を有する選択成長保護膜、および該開口部を覆うように形成されたリッジ型化合物半導体層を有することを特徴とする半導体発光装置。

Claim (excerpt)：

表面が低次の面方位に対してオフアングルを有する基板上に、活性層を有する化合物半導体層、該化合物半導体層の上に形成され且つ電流が注入されるストライプ領域に対応する領域に開口部を有する選択成長保護膜、および該開口部を覆うように形成されたリッジ型化合物半導体層を有することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 673 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 673 , H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-130687
光半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-009436 Applicant：日本電気株式会社
量子ドット構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-324904 Applicant：富士通株式会社

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