半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにIII-V族化合物半導体素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998083427
Publication number (International publication number)：1999284280
Application date： Mar. 30, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来よりもZnを容易に拡散することができ、プロセス工程が簡略され、端面に対する電流の注入を効果的にブロックすることもできる半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにIII-V族化合物半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ウェーハの表面にZnなどのドーパントを高濃度に含んだIII-V族化合物半導体層を設け、この層からドーパントを固相拡散させることにより、端面出射領域の活性層を無秩序化して窓領域を形成できる。このようにすることにより、ドーパントの拡散量の制御を従来よりもはるかに精密に行うことができるようになる。さらに、本発明においては、ヘテロ障壁による電流阻止構造をこの窓領域の上部に形成することにより、高性能の端面非注入型の窓構造レーザを実現することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の化合物半導体基板と、第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のクラッド層と、前記第2導電型のクラッド層より小さいバンドギャップを有する第2導電型のコンタクト層と、前記第2導電型のクラッド層よりもバンドギャップが小さく前記第2導電型のコンタクト層よりもバンドギャップが大きい第2導電型の通電容易層と、を備え、端面からレーザ光を放出する半導体レーザ装置であって、前記端面およびその近傍においては、前記第2導電型のクラッド層と前記コンタクト層とが隣接して積層され、且つ前記第2導電型のクラッド層と前記コンタクト層との界面におけるヘテロ障壁により電流が抑制されるものとして構成され、前記端面近傍以外の部分においては、前記第2導電型のクラッド層と前記コンタクト層との間に、前記通電容易層が介在してなることにより通電が促進されるものとして構成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平3-283677
特開平3-283677
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-031398 Applicant：日本電気株式会社

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