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J-GLOBAL ID：200903028060394382

シリコンウエハの加工方法

Inventor： 梶本 公彦 ,  涌田 順三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004168930
Publication number (International publication number)：2005347712
Application date： Jun. 07, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：

【課題】 シリコンウエハの割れ率をさらに低下させることができるシリコンウエハの加工方法を提供すること。【解決手段】本発明のシリコンウエハの加工方法は、シリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化することからなり、平坦化する面についての、平坦化する前の表面粗さRyがXμmのとき、その研磨量が、X×5倍以上である。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

シリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化することからなり、平坦化する面についての、平坦化する前の表面粗さRyがXμmのとき、その研磨量が、X×5倍以上であるシリコンウエハの加工方法。

IPC (2)：

H01L21/304 ,  B24B37/04

FI (2)：

H01L21/304 621E ,  B24B37/04 Z

F-Term (6)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CA02 ,  3C058CB01 ,  3C058CB06 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 2002-176014号公報
  
• 半導体ウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-032884   Applicant：株式会社ティ・ケー・エックス
• シリコンウエハの加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-272356   Applicant：シャープ株式会社
• 薄板状ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-275428   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体ウエハポリッシング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-145196   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

Cited by examiner (3)

• 半導体ウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-032884   Applicant：株式会社ティ・ケー・エックス
• シリコンウエハの加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-272356   Applicant：シャープ株式会社
• 薄板状ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-275428   Applicant：日立電線株式会社