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J-GLOBAL ID：200903081068665952

半導体ウェハ及びその製造方法

Inventor：
角 以之

About 角 以之

, 
川口俊央

About 川口俊央


Applicant, Patent owner：
株式会社ティ・ケー・エックス

About 株式会社ティ・ケー・エックス


Agent (1)： 小田 富士雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001032884
Publication number (International publication number)：2002237476
Application date： Feb. 08, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：
【要約】【課題】マルチワイヤーソーによる半導体ウェハの欠け、ひび、割れ等を最小限に押さえて、ウェハ製造の歩留まりを向上させ、同時にスライス後の工程におけるウェハ自体の加工における欠け、ひび、割れ等も少なくすること。【解決手段】半導体結晶インゴットを所定大きさのブロックに切断した後、該ブロック表面を研磨することにより、該研磨後にワイヤーソーでスライスして形成された半導体ウェハにおいて、ウェハの上下表面と周縁部に多数存在する凸凹を、いわゆるJISで用いられている粗さRmax表示で2.5μm以下とすることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体結晶インゴットを所定大きさのブロックに切断し、該ブロック表面を研磨し、ワイヤーソーでスライスすることにより形成された半導体ウェハにおいて、ウェハの周縁部表面の粗さRmaxが2.5μm以下であることを特徴とする半導体ウェハ。
IPC (4)：
H01L 21/304 601 ,  H01L 21/304 611 ,  B24B 27/06 ,  H01L 21/02
FI (4)：
H01L 21/304 601 B ,  H01L 21/304 611 W ,  B24B 27/06 D ,  H01L 21/02 B
F-Term (12)：
3C058AA05 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA12 ,  3C058AA14 ,  3C058AA18 ,  3C058AB08 ,  3C058AC04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (3)

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