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J-GLOBAL ID：200903081709496447

シリコンウエハの加工方法

Inventor： 梶本 公彦 ,  涌田 順三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001272356
Publication number (International publication number)：2002176014
Application date： Sep. 07, 2001
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】 短時間でシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化する研磨技術を提供し、シリコンウエハの割れ不良を低減し、歩留りを改善することを目的とする。【解決手段】 シリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化することからなるシリコンウエハの加工方法により、上記の課題を解決する。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化することからなるシリコンウエハの加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 37/04

FI (3)：

H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/304 622 T ,  B24B 37/04 Z

F-Term (3)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• 特開平2-122617
  
• 板状ワークの面取り研磨および鏡面研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-123502   Applicant：田原勝代
• 半導体ウェーハのエッジ研摩方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-347703   Applicant：エムテック株式会社
• 研磨装置と研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-180820   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体インゴット加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-320533   Applicant：信越半導体株式会社
• 加工誤差補正装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-012878   Applicant：信越半導体株式会社
• 半導体ウェハのエッジを研摩するシステム及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-028565   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体ウエハポリッシング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-145196   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開平4-063670
  
• 特開昭54-002585
  
• 面取り装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-300181   Applicant：株式会社内山梱包資材紙器
• シリコンウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-311423   Applicant：シャープ株式会社