炭素質被膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 亀松宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006188413
Publication number (International publication number)：2008013832
Application date： Jul. 07, 2006
Publication date： Jan. 24, 2008
Summary：

【課題】フラーレンを原料として用い、摩擦係数0.1以下で実用的な面積を持つ超低摩擦表面を実現できる炭素質皮膜の形成方法を提供する。【解決手段】フラーレンを原料とし、クラスタイオンビーム法または分子線エピタキシー法により、基板上にフラーレンから成る炭素質皮膜を形成する。基板上に形成される炭素質皮膜は典型的にはフラーレンC60から成る。皮膜形成に用いる基板として高配向性グラファイト(HOPG)が望ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

フラーレンを原料とし、クラスタイオンビーム法または分子線エピタキシー法により、基板上にフラーレンから成る炭素質皮膜を形成することを特徴とする炭素質皮膜の形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/06 , C01B 31/02

FI (2)：

C23C14/06 F , C01B31/02 101F

F-Term (12)：

4G146AA08 , 4G146AA09 , 4G146AB07 , 4G146AD05 , 4G146AD40 , 4G146CB17 , 4K029AA04 , 4K029BA34 , 4K029CA01 , 4K029CA03 , 4K029DB02 , 4K029DD03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

炭素系硬質膜の形成方法並びにその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-334277 Applicant：株式会社野村鍍金
成型用金型、光ディスク基板成型用金型、金属軸、金属軸受及び複合金属材料、この製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-210799 Applicant：株式会社リコー
炭素薄膜の製造方法及びその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-080138 Applicant：ソニー株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構

Cited by examiner (1)

炭素薄膜の形成方法とその改質方法およびその改質方法を用いた電子デバイスおよびX線多層膜ミラーとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-029700 Applicant：三菱電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Return to Previous Page