半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996040160
Publication number (International publication number)：1997232336
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】利得、出力電力の低下を抑制したエンハンスメントモードのMESFETを提供する。【解決手段】支持基板と、前記支持基板の上に配置された化合物半導体からなるキャリア走行層と、前記キャリア走行層の上の一部の領域に配置され、導電性材料からなるゲート電極と、前記キャリア走行層の上の、前記ゲート電極の両側の領域にそれぞれ配置され、ノンドープの化合物半導体からなり、100nm以上の厚さを有するキャップ層と、前記キャリア走行層とオーミック接続する電流電極とを有する。

Claim (excerpt)：

支持基板と、前記支持基板の上に配置された化合物半導体からなるキャリア走行層と、前記キャリア走行層の上の一部の領域に配置され、導電性材料からなるゲート電極と、前記キャリア走行層の上の、前記ゲート電極の両側の領域にそれぞれ配置され、ノンドープの化合物半導体からなり、100nm以上の厚さを有するキャップ層と、前記キャリア走行層とオーミック接続する電流電極とを有する半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/203

FI (2)：

H01L 29/80 B , H01L 21/203 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

化合物半導体電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-233414 Applicant：富士通株式会社
化合物半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-278056 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
化合物半導体ヘテロ接合ゲート電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-256850 Applicant：株式会社東芝

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