薄膜太陽電池の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：三品岩男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996228411
Publication number (International publication number)：1998074966
Application date： Aug. 29, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】CIS系薄膜の組成変動を広い範囲で許容でき、しかも、高いエネルギー変換効率を得ることが可能な太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】光吸収層として化合物半導体薄膜を成膜するために、基板上にIb族元素と、III族元素と、VIb族元素とを供給する工程において、第1のステップとして、Ib族元素供給量のIII族元素供給量に対する比率を、目的とする組成の前記化合物半導体薄膜に含まれるIb族元素のIII族元素に対する比率よりも高くするとともに、Ia族元素を前記基板上に供給する。第2のステップとして、Ib族元素供給量のIII族元素供給量に対する比率を、前記第1ステップよりも小さくする。

Claim (excerpt)：

光吸収層として、Ib族元素と、III族元素と、VIb族元素とを含む化合物半導体薄膜を用いる太陽電池の製造方法であって、前記化合物半導体薄膜を成膜するために、基板上にIb族元素と、III族元素と、VIb族元素とを供給する工程を有し、前記工程は、Ib族元素供給量のIII族元素供給量に対する比率を、目的とする組成の前記化合物半導体薄膜に含まれるIb族元素のIII族元素に対する比率よりも高くするとともに、Ia族元素を前記基板上に供給する第1ステップと、Ib族元素供給量のIII族元素供給量に対する比率を、前記第1ステップよりも小さくする第2ステップとを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 31/04 E , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

カルコパイライト薄膜、その製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-005606 Applicant：松下電器産業株式会社
カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-199418 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-236333 Applicant：松下電器産業株式会社

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