薄膜形成装置及び薄膜形成装置のクリーニング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田澤博昭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995017339
Publication number (International publication number)：1996209350
Application date： Feb. 03, 1995
Publication date： Aug. 13, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】装置内に形成された付着物等を装置にダメージを与えることなく均一かつ効率的に除去し、製造デバイスの特性劣化或いは不良品発生をなくして製造歩留まりを向上させるような薄膜形成装置を得る。【構成】クリーニングガスを反応容器に導入する前に加熱する第一のガス温度制御手段39と、クリーニングガスを反応容器2に導入する前に冷却する第二のガス温度制御手段40とを備える。

Claim (excerpt)：

被処理物を成膜処理する反応容器と、前記反応容器に成膜用のガスを導入する成膜用ガス導入手段と、前記反応容器内に付着した付着物を除去するクリーニングガスを前記反応容器内に導入するクリーニングガス導入手段と、使用されたクリーニングガスを前記反応容器外に排出するクリーニングガス排出手段とを有した薄膜形成装置において、前記クリーニングガスを前記反応容器に導入する前に加熱する第一のガス温度制御手段と、前記クリーニングガスを前記反応容器に導入する前に冷却する第二のガス温度制御手段の少なくとも一方を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2)：

C23C 16/44 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平2-185977
特開平4-245627
CVD装置のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-324954 Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社

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