レジスト材料

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993115307
Publication number (International publication number)：1994273934
Application date： Apr. 19, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【構成】下記示性式(1)【化1】(但し、R1,R3,R5は水素原子又はメチル基を、R2はtert-ブチル基、R4はメトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、トリアルキルシリル基、イソプロポキシメチル基、テトラヒドロフラニル基及びtert-ブトキシカルボニル基から選ばれる酸加水分解性基を示し、m+n+k=1である。)で表わされるベース樹脂(A)と、オニウム塩(B)と、及び酸不安定基を含有する溶解阻止剤(C)とを有機溶剤に溶解してなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。【効果】本発明により得られるポジ型レジストは、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。しかも、レジストパターンの耐熱性が優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。これらの特性により、特にKrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成できる特徴がある。

Claim (excerpt)：

下記示性式(1)【化1】(但し、R1,R3,R5は水素原子又はメチル基を、R2はtert-ブチル基、R4はメトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、トリアルキルシリル基、イソプロポキシメチル基、テトラヒドロフラニル基及びtert-ブトキシカルボニル基から選ばれる酸加水分解性基を示し、m+n+k=1である。)で表わされるベース樹脂(A)と、オニウム塩(B)と、及び酸不安定基を含有する溶解阻止剤(C)とを有機溶剤に溶解してなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/033 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-211258
特開平3-107165
特開平2-177031

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