半導体装置、半導体装置の製造方法、リッド部材

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001057366
Publication number (International publication number)：2002261214
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体チップや接着樹脂の応力緩和を十分確保した上で放熱性を向上させることが可能で生産性を改善する半導体装置、その製造方法、そのリッド部材を提供すること。【解決手段】半導体チップに対向するリッドの面に金属突起が存在し、この金属突起が半導体チップの裏面に近接するように、半導体チップとリッドとを固定する。リッドの金属突起が存在しない部位と半導体チップとの間に形成される空間には接着樹脂を十分に充填してこれらの密着性を向上する。リッドの金属突起と半導体チップとが近接していることで、これらを低温度溶融金属やAuバンプなどにより接続し、この接続により半導体チップとリッドとの固着性を確保する。また、金属突起に接続され得るように半導体チップの裏面側に接続用金属層を設ける。これらにより、応力緩和、生産性を改善しつつ放熱性を向上する。

Claim (excerpt)：

半導体チップと、前記半導体チップの裏面の側に設けられたリッドとを有し、前記半導体チップに対向する前記リッドの面には金属突起が存在し、前記金属突起の先端が前記半導体チップの裏面に近接するように、前記リッドが前記半導体チップに固定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/40 , H01L 23/34

FI (2)：

H01L 23/40 F , H01L 23/34 A

F-Term (5)：

5F036AA01 , 5F036BB05 , 5F036BC06 , 5F036BC31 , 5F036BD01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-244661
ヒートシンクの実装構造及び実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-164932 Applicant：富士通株式会社
バンプ付き半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-006098 Applicant：富士電機株式会社

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