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J-GLOBAL ID：200903073105495377

集積回路装置

Inventor：
平林 崇之

About 平林 崇之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998197585
Publication number (International publication number)：2000031374
Application date： Jul. 13, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高周波半導体素子等の発熱を伴う半導体素子を効率よく放熱させることができ、かつコンパクトにパッケージや実装を行うことができる集積回路装置を提供する。【解決手段】 表面に半導体素子21と複数のバンプ16A,16Bが形成された半導体チップ15と、第1の基板11と、一方の主面にパッシブ素子18、他方の主面に放熱用金属層が形成された第2の基板12とを有し、半導体チップ15の裏面が第1の基板11の一方の主面に金属層14を介して接続され、半導体チップ15の表面がバンプ16を介して第2の基板12のパッシブ素子18及び放熱用金属層13に接続されて成る集積回路装置10を構成する。
Claim (excerpt)：
表面に半導体素子と複数のバンプが形成された半導体チップと、第1の基板と、一方の主面にパッシブ素子、他方の主面に放熱用金属層が形成された第2の基板とを有し、上記半導体チップの裏面が、上記第1の基板の一方の主面に金属層を介して接続され、上記半導体チップの表面が、上記バンプを介して上記第2の基板の上記パッシブ素子及び上記放熱用金属層に接続されて成ることを特徴とする集積回路装置。
IPC (5)：
H01L 25/00 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 ,  H01L 27/095
FI (5)：
H01L 25/00 B ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 R ,  H01L 23/12 J ,  H01L 29/80 E
F-Term (10)：
4M105AA04 ,  4M105FF01 ,  4M105GG10 ,  5F102FA00 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GV00 ,  5F102GV03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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