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J-GLOBAL ID：200903028541701149

III族窒化物膜の製造方法

Inventor： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  小田 修
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001233183
Publication number (International publication number)：2003048799
Application date： Aug. 01, 2001
Publication date： Feb. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】III族窒化物膜中における欠陥の発生割合を減少させることが可能な、新規なIII族窒化物膜の製造方法を提供する。【解決手段】所定の単結晶材料からなる基材1と、この基材1上にエピタキシャル成長された、少なくともAlを含むIII族窒化物からなる下地膜2とを具えるエピタキシャル成長基板5の、III族窒化物膜を形成すべき主面5Aを、加熱処理、プラズマ処理、光化学処理、及び洗浄処理の少なくとも1つを用いて前処理する。次いで、主面5A上に目的とするIII族窒化物膜を形成する。

Claim (excerpt)：

所定の単結晶材料からなる基材と、この基材上にエピタキシャル成長された、少なくともAlを含むIII族窒化物からなる下地膜とを具えるエピタキシャル成長基板を準備する工程と、前記エピタキシャル成長基板の、少なくともIII族窒化物膜を形成すべき主面を前処理する工程と、前記エピタキシャル成長基板の前記主面上に、前記III族窒化物膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

F-Term (19)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA06 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  4G077TC19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045HA02 ,  5F045HA06 ,  5F045HA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217875   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-354318   Applicant：パイオニア株式会社
• 化合物半導体の気相成長方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-206070   Applicant：日立電線株式会社
• 窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-335580   Applicant：エルジー電子株式会社
• 単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されたエピタキシャルウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-310519   Applicant：昭和電工株式会社