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J-GLOBAL ID:200903028556992166

有機材料のパターン形成方法及びそれを用いた表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 丸山 隆夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004238846
Publication number (International publication number):2006058497
Application date: Aug. 18, 2004
Publication date: Mar. 02, 2006
Summary:
【課題】 良好なパターニング精度で有機材料(有機半導体材料、有機導電性材料および有機絶縁性材料)のパターンを形成する方法およびそれを用いた表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板100表面に有機材料層101を形成し、その上に中間層102を形成する。その後、無機材料用の感光性レジスト材料を塗布し、乾燥することで、レジスト材料層103を形成する。感光性レジスト材料にはポジタイプとネガタイプがあり、ポジタイプの場合には露光した部分が現像液に溶解し、ネガタイプの場合には露光した部分が現像液に不溶になる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
感光性レジスト材料を用いる有機材料層のパターン形成方法であって、 前記有機材料層上に有機材料を溶解しない溶媒を用いて前記感光性レジスト材料の溶媒に対する溶解性の低い中間層を形成する工程と、 該中間層上に感光性レジスト材料層を形成する工程と、 前記レジスト材料層を露光する工程と、 前記レジスト材料層を現像する工程と、 前記レジスト材料層が除去された部分の中間層をパターニングする工程と、 前記レジスト材料層がパターニングされた部分の前記有機材料層をパターニングする工程とを有することを特徴とする有機材料のパターン形成方法。
IPC (5):
G03F 7/11 ,  G02F 1/13 ,  G02F 1/134 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/20
FI (5):
G03F7/11 503 ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1345 ,  G03F7/095 ,  G03F7/20 501
F-Term (34):
2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB14 ,  2H025AB20 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025DA31 ,  2H025DA35 ,  2H025DA36 ,  2H025DA40 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H088FA16 ,  2H088FA18 ,  2H088FA19 ,  2H088HA02 ,  2H088MA20 ,  2H092GA11 ,  2H092GA29 ,  2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB56 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H097FA06 ,  2H097LA11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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