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J-GLOBAL ID：200903063501326507

導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器

Inventor：
古沢 昌宏

About 古沢 昌宏


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 渡邊 隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001197801
Publication number (International publication number)：2002164635
Application date： Jun. 29, 2001
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ミクロンオーダーの精度を有し、尚且つ、簡便な工程で良質な導電膜パターンを形成する手段を提供する。【解決手段】 基板表面に有機分子膜を用いて、親液部と撥液部とを所定のパターンに形成するとともに、導電性微粒子を分散させた液体を親液部に選択的に塗布した後、熱処理によって導電膜に変換することにより、親液部のみに導電膜を形成する。
Claim (excerpt)：
基板表面に有機分子膜を用いて親液部と撥液部とを所定のパターンに形成する工程と、導電性微粒子を含有した液体を前記親液部に選択的に塗布する工程と、前記親液部に塗布された前記液体を熱処理によって導電膜に変換する工程と、からなることを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
IPC (5)：
H05K 3/00 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786
FI (6)：
H05K 3/00 A ,  H01B 13/00 503 D ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 M
F-Term (50)：
4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104DD62 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR21 ,  5F033SS03 ,  5F033SS21 ,  5F033XX03 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE37 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL21 ,  5F110HM19 ,  5F110QQ01 ,  5G323CA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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