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J-GLOBAL ID：200903028715432061

磁気抵抗素子および磁気メモリ

Inventor： 上 田 知 正 ,  相 川 尚 徳 ,  吉 川 将 寿 ,  下 村 尚 治 ,  中 山 昌 彦 ,  池 川 純 夫 ,  細 谷 啓 司 ,  長 嶺 真
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007016930
Publication number (International publication number)：2008186861
Application date： Jan. 26, 2007
Publication date： Aug. 14, 2008
Summary：

【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減することを可能にする。【解決手段】第1面およびこの第1面と反対側の第2面を有し磁化の向きが可変の磁化自由層10と、磁化自由層の第1面および第2面のうち第1面側に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層6と、磁化自由層と磁化固着層との間に設けられた第1トンネルバリア層8と、磁化自由層の第2面に設けられた第2トンネルバリア層12と、第2トンネルバリア層の磁化自由層と反対側の面に接するように設けられた非磁性層14とを備え、磁化自由層の磁化の向きは、磁化固着層と非磁性層との間で通電することにより変化可能であり、第1トンネルバリア層と第2トンネルバリア層の抵抗比が1:0.25〜1:4の範囲にある。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1面およびこの第1面と反対側の第2面を有し磁化の向きが可変の磁化自由層と、前記磁化自由層の第1面および第2面のうち第1面側に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層と、前記磁化自由層と前記磁化固着層との間に設けられた第1トンネルバリア層と、前記磁化自由層の第2面に設けられた第2トンネルバリア層と、前記第2トンネルバリア層の前記磁化自由層と反対側の面に接するように設けられた非磁性層とを備え、 前記磁化自由層の磁化の向きは、前記磁化固着層と前記非磁性層との間で通電することにより変化可能であり、 前記第1トンネルバリア層と前記第2トンネルバリア層の抵抗比が1:0.25〜1:4の範囲にあることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (3)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447

F-Term (38)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ15 ,  5F092AA01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB49 ,  5F092BB51 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC02 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BE27 ,  5F092CA13 ,  5F092CA20 ,  5F092CA26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 米国特許第6,256,223号明細書
  
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-001847   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-194513   Applicant：株式会社東芝
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-344758   Applicant：ソニー株式会社
• スピン注入磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-021877   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (4)

• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-001847   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-194513   Applicant：株式会社東芝
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-344758   Applicant：ソニー株式会社
• スピン注入磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-021877   Applicant：株式会社東芝