記憶素子及びメモリ

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 磯山弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005001847
Publication number (International publication number)：2006190838
Application date： Jan. 06, 2005
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：

【課題】スピン注入効率を改善することにより、情報の記録に要する電流を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17を有し、この記憶層17に対して中間層16を介して磁化固定層19が設けられ、積層方向に電流を流すことにより、記憶層17の磁化の向きが変化して、記憶層17に対して情報の記録が行われる記憶素子10において、記憶層17がNiFe合金を主成分として成る構成とする、又は、記憶層17を構成する磁性体のダンピング定数αがα<0.015を満足する構成とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、前記記憶層がNiFe合金を主成分として成り、積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われることを特徴とする記憶素子。

IPC (8)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01F 41/18 , H01L 43/08 , H01L 43/10

FI (8)：

H01L27/10 447 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F41/18 , H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L43/10

F-Term (13)：

5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA25 , 5E049CB01 , 5E049GC04 , 5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083PR22 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-203934 Applicant：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー

Cited by examiner (4)

不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-277687 Applicant：ソニー株式会社
メモリ素子およびメモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-343948 Applicant：ソニー株式会社
交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-316100 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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