スピン注入磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005021877
Publication number (International publication number)：2006210711
Application date： Jan. 28, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】スピン注入書き込み時の熱擾乱を抑制する。【解決手段】本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁化方向が固着される固着層、磁化方向が可変である記録層、及び、固着層と記録層との間に設けられるトンネルバリア層を有する磁気抵抗効果素子MTJと、スピン偏極電子による記録層の磁化反転に用いるスピン注入電流Isを磁気抵抗効果素子MTJに与えるビット線BLu,BLdと、磁気抵抗効果素子MTJの磁化容易軸方向のアシスト磁場Hの発生に用いるアシスト電流Iaを流す書き込みワード線WWLと、書き込みデータの値に応じて、スピン注入電流Isの向き及びアシスト電流Iaの向きを決定するドライバ/シンカーとを備える。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

磁化方向が固着される磁気固着層、スピン偏極電子の注入により磁化方向が可変となる磁気記録層、及び、前記磁気固着層と前記磁気記録層との間に設けられるトンネルバリア層を有する磁気抵抗効果素子と、前記スピン偏極電子の発生に用いるスピン注入電流を前記磁気抵抗効果素子に流すためのビット線と、前記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸方向のアシスト磁場の発生に用いるアシスト電流を流すための書き込みワード線と、前記ビット線に接続される第1ドライバ/シンカーと、前記書き込みワード線に接続される第2ドライバ/シンカーと、前記磁気抵抗効果素子に対するデータ書き込み時に前記第1ドライバ/シンカーを制御し、書き込みデータの値に応じて前記スピン注入電流の向きを決定すると共に、前記スピン注入電流の遮断のタイミングを決定する第1デコーダと、前記データ書き込み時に前記第2ドライバ/シンカーを制御し、前記書き込みデータの値に応じて前記アシスト電流の向きを決定すると共に、前記アシスト電流の遮断のタイミングを前記スピン注入電流の遮断のタイミングよりも遅くする第2デコーダとを具備することを特徴とするスピン注入磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (5)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , G11C 11/15 , H01L 29/82 , H01L 43/08

FI (4)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 140 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z

F-Term (6)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

米国特許第6,256,223号明細書
磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-183104 Applicant：株式会社東芝
磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-286653 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (6)

磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-183104 Applicant：株式会社東芝
磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-286653 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265663 Applicant：株式会社東芝

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