アモルファスシリコン薄膜製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石島茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998262550
Publication number (International publication number)：2000091242
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】スループットの高いa-Si薄膜形成方法を提供する。【解決手段】本発明は、a-Si薄膜製造方法であり、基板2を真空雰囲気中に配置し、原料ガスを導入し、そのプラズマを発生させて基板2表面にa-Si薄膜を形成した後不活性ガスを導入し、プラズマを発生させる。a-Si薄膜表面がプラズマに曝されるので、短時間で脱水素処理を行うことができる。a-Si薄膜を形成した反応室151内で脱水素処理を行うこともできる。

Claim (excerpt)：

基板表面にアモルファスシリコン薄膜を形成するアモルファスシリコン薄膜製造方法であって、真空雰囲気中に原料ガスを導入し、前記原料ガスプラズマを発生させて前記基板表面にアモルファスシリコン薄膜を形成した後、前記基板が置かれた真空雰囲気中に不活性ガス、又は水素ガス、又は不活性ガスに水素ガスを添加したガスを処理ガスとして導入し、前記処理ガスのプラズマを発生させ、前記アモルファスシリコン薄膜表面を前記プラズマに曝し、前記アモルファスシリコン薄膜の脱水素処理を行うことを特徴とするアモルファスシリコン薄膜製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/205 , C01B 33/02 , C23C 16/24 , C23C 16/505 , C23C 16/56 , H01L 31/04

FI (6)：

H01L 21/205 , C01B 33/02 D , C23C 16/24 , C23C 16/50 B , C23C 16/56 , H01L 31/04 V

F-Term (40)：

4G072AA03 , 4G072BB09 , 4G072FF01 , 4G072GG03 , 4G072HH04 , 4G072NN13 , 4G072QQ06 , 4G072RR01 , 4G072RR11 , 4G072RR25 , 4G072UU30 , 4K030AA06 , 4K030BA30 , 4K030BB05 , 4K030CA06 , 4K030FA01 , 4K030HA03 , 4K030LA18 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045DP04 , 5F045DQ17 , 5F045EB08 , 5F045EE14 , 5F045EF05 , 5F045EH05 , 5F045EH14 , 5F045EN04 , 5F051AA05 , 5F051BA14 , 5F051CA07 , 5F051CA08 , 5F051CA15 , 5F051CA21 , 5F051CA32 , 5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-125908 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-076737 Applicant：株式会社東芝
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-262053 Applicant：川崎製鉄株式会社

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