薄膜形成装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤祐介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997121489
Publication number (International publication number)：1998298749
Application date： Apr. 25, 1997
Publication date： Nov. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板両面における成膜を効率よく行う。【解決手段】一つの真空チャンバ11の中央に基板13を配置し、仕切り板17で真空チャンバ11を分離するとともに、真空チャンバ11の両側にECRプラズマ発生用キャビティ21、21を配置し、かつ真空チャンバ11内において、基板13の両側にターゲット14、14をそれぞれ配置することにより、チャンバ11内の基板13の両側で、ECRプラズマ形成、イオンのターゲット14、14への衝突および原子の弾き出しを生じさせて、基板13の両面でスパッタ成膜を行う。

Claim (excerpt)：

一つの真空チャンバと、該真空チャンバを挟んで対向配置された二つのECRプラズマ発生手段と、上記チャンバ内に所定の磁界を発生させる磁界発生手段と、不活性ガスを上記真空チャンバ内に導入するガス導入手段と、上記真空チャンバ内において、基板を挟むように配置されたターゲットと、上記ターゲットおよび基板に負の電圧を印加する電圧印加手段とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2)：

C23C 14/34 , G11B 5/85

FI (2)：

C23C 14/34 T , G11B 5/85 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平3-039480
特開昭63-244619
特開平2-254161

Show all

Return to Previous Page