電界放出形表示素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西村教光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998106333
Publication number (International publication number)：1999307020
Application date： Apr. 16, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】低電圧・大電流の駆動条件でも分解飛散しにくく、エミッタを劣化しにくい蛍光体を備えたFED提供する。【解決手段】 Ga2 S3 とZnSををNH3 気流中で1000°Cで窒化してGaN:Zn蛍光体を得る。この蛍光体を用いたFEDを作製する。蛍光体の焼成温度と、FEDにおいて発光させた時の初期輝度との関係を示す。駆動条件は400V,1/240Duty,75mA/cm2 (同平均電流300μA/cm2 )である。本例のGaN蛍光体は、焼成温度450°C〜550°Cの範囲であれば、約410nmにピークを持つ青色発光の蛍光体としてFEDに適している。

Claim (excerpt)：

内面に電界放出形陰極が形成された陰極基板と、内面に蛍光体からなる蛍光面を有する陽極が形成された陽極基板とを所定間隔をおいて対面させ、前記陰極基板と前記陽極基板の各外周部の隙間を封止した電界放出形表示素子において、前記蛍光体を窒化ガリウム系の蛍光体としたことを特徴とする電界放出形表示素子。

IPC (3)：

H01J 31/12 , C09K 11/62 CPV , H01J 29/20

FI (3)：

H01J 31/12 C , C09K 11/62 CPV , H01J 29/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

蛍光体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-100215 Applicant：双葉電子工業株式会社
蛍光体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-051494 Applicant：双葉電子工業株式会社
表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-191296 Applicant：双葉電子工業株式会社

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