窒化物半導体発光素子及び発光装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998134823
Publication number (International publication number)：1999330552
Application date： May. 18, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【目的】長波長の窒化物半導体発光素子の出力を向上させると共に、窒化物半導体発光素子を用いた高出力な発光装置を実現する。【構成】 Inを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する活性層を具備する第1の発光素子と、第1の発光素子よりもIn含有量が多い窒化物半導体からなる井戸層を有する第2の発光素子とを有する窒化物半導体発光装置において、第2の発光素子の井戸層数が、前記第1の発光素子の井戸層数よりも多い。井戸層の数を増やすことによって障壁層の数が増え、その障壁層で井戸層の結晶性を良くすることにより、Inの多い井戸層が成長できる。

Claim (excerpt)：

Inを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する活性層を具備する第1の発光素子と、第1の発光素子よりもIn含有量が多い窒化物半導体からなる井戸層を有する第2の発光素子とを比較して、前記第2の発光素子の井戸層数が、前記第1の発光素子の井戸層数よりも多いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-188371 Applicant：豊田合成株式会社
窒化ガリウム系半導体光発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-213412 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257817 Applicant：豊田合成株式会社

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