半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996257817
Publication number (International publication number)：1998084132
Application date： Sep. 08, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】格子欠陥の発生を防止しつつ量子井戸層とバリア層との電位障壁の高さを確保する。【解決手段】この発明の半導体素子では超格子構造の発光層において量子井戸層とバリア層との間に新規なバッファ層が導入された。このバッファ層の格子定数が量子井戸層の格子定数とバリア層の格子定数との間にあるので、量子井戸層、バッファ層及びバリア層において格子定数の変化がなだらかなものとなる。よって、各層の界面における格子欠陥の発生を抑制することができる。また、量子井戸層とバリア層との電位障壁、即ちコンダクションバンド側のオフセットΔEcは、バッファ層の存在の如何に拘わらず、自由に設計できる。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体で形成される半導体発光素子であって、n伝導型の第1の半導体層と、p伝導型の第2の半導体層と、前記第1と第2の半導体層の間に設けられる超格子構造の発光層とを備えてなり、前記発光層が量子井戸層、バリア層及び前記量子井戸層と前記バリア層との間に形成されるバッファ層を含み、前記量子井戸層と前記バッファ層との間の電位障壁が、前記量子井戸層と前記バリア層との電位障壁よりも小さく、前記バッファ層の格子定数が前記量子井戸層の格子定数と前記バリア層の格子定数の間にあることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/28 301 B , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-322924 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体多重歪量子井戸構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-196339 Applicant：日本電気株式会社
歪多重量子井戸光デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-347359 Applicant：株式会社フジクラ

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