3族窒化物半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996188371
Publication number (International publication number)：1998022525
Application date： Jun. 28, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】単一画素で任意の色度(彩度、色相)の光を発光するようにすること、特に、純粋な白色発光を得ること。【解決手段】多重量子井戸構造の各井戸層512の結晶比を変化させることで禁制帯幅を変化させることができるので、発光のピーク波長を結晶比により変化させることができる。3族窒化物半導体を用いた多重量子井戸構造の発光素子において、発光する複数の井戸層512の結晶比を変化させることにより、各井戸層からの発光の合成光の波長強度特性を所望の特性とした。よって、単一画素から任意の色度を有する光を発光させることができる。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体を用いた多重量子井戸構造の発光素子において、発光する複数の井戸層の混晶比を変化させることにより、各井戸層からの発光の合成光の波長強度特性を所望の特性としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

白色発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-037700 Applicant：松下電器産業株式会社
シリコンに格子整合したIII-V化合物半導体エミッター
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-057877 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
カラー・エレクトロ・ルミネッセンス・ディスプレイ装置
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