結晶性半導体作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995112394
Publication number (International publication number)：1995335548
Application date： Apr. 12, 1995
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】結晶化を助長する触媒元素を用いて、通常の固相成長温度よりも低い温度・短時間、例えば、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、触媒元素の導入量を均一に制御する。【構成】非晶質珪素膜が形成された試料103を真空チャンバー101に置き、ビスシクロペンタジエニルニッケルやビスメチルシクロペンタジエニルニッケル、ビス-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオノニッケル等の有機ニッケル蒸気あるいはガスをチャンバー内に導入して、これを熱分解することによって、ニッケルもしくはその化合物の被膜を試料の非晶質珪素膜上に極めて均一に堆積させる。その後、試料を、適切な温度・時間、例えば、550°C、4時間の加熱処理をおこなうことにより、結晶性珪素膜を得る。上記構成におて、ニッケルもしくはその化合物の被膜は極めて薄く、かつ、均一であるので、非晶質珪素膜の結晶化が均一に進行する。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜を有する基板をチャンバー内に配置する第1の工程と、チャンバー内に非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を有する有機金属の蒸気もしくはガスを導入する第2の工程と、前記蒸気もしくはガスを熱分解することにより、前記非晶質珪素膜表面に触媒元素金属もしくはその化合物の被膜を堆積する第3の工程と、前記非晶質珪素膜を加熱処理することによる結晶化させる第4の工程と、を有する結晶性半導体作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体装置作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-131414 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-329761 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
半導体およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-162704 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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