強誘電体キャパシタの形成方法及び不揮発性半導体記憶素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997354710
Publication number (International publication number)：1999186510
Application date： Dec. 24, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来、強誘電体膜の結晶化のために行っていた酸素雰囲気中での熱処理では、スタック型構造においては、下部電極とのコンタクトに用いるポリシリコンプラグや、プラグと下部白金電極と間の拡散を防止するTiN又はTaSiN等のバリアメタルの高温プロセスでの酸化が生じる。【解決手段】シリコン基板1上に熱酸化膜2及びTiO2密着層3を介して形成された下部Pt電極4上に強誘電体膜であるSrBi2Ta2O9膜7を形成する。次に、不活性ガスである窒素雰囲気中で650〜800°Cで熱処理することで強誘電体膜を結晶化する。次に、強誘電体膜上に上部Pt電極6を形成する。

Claim (excerpt)：

下部電極上に強誘電体膜を形成する工程と、不活性ガス雰囲気中で熱処理することで上記強誘電体膜を結晶化する工程と、上記強誘電体膜上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする、強誘電体キャパシタの形成方法。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-036041 Applicant：シャープ株式会社
強誘電体薄膜の形成方法及び半導体素子のキャパシタ構造の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-245516 Applicant：ソニー株式会社
強誘電体薄膜キャパシタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-153197 Applicant：日本電気株式会社

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