オプトエレクトロニクス半導体チップおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002518539
Publication number (International publication number)：2004506331
Application date： Aug. 08, 2001
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

光子を放出するゾーン(3)を備えた薄膜活性層(2)と、チップの放射方向とは反対側に薄膜活性層(2)を備え、これに接続される支持体基板(3)とを有する半導体チップ、特に発光半導体チップに関する。薄膜活性層(2)には支持体基板(1)からのキャビティ(8)が構成されており、このキャビティにより支持体基板(1)と薄膜活性層(2)とのあいだの境界に複数のメサ領域が構成されている。

Claim (excerpt)：

光子を形成するゾーン(3)を備えた薄膜活性層(2)と、チップの放射方向とは反対側に薄膜活性層(2)を備え、これに接続される支持体基板(3)とを有するオプトエレクトロニクス半導体チップ、例えば発光半導体チップにおいて、薄膜活性層(2)には支持体基板(1)からキャビティ(8)が構成されており、このキャビティにより支持体基板(1)と薄膜活性層(2)とのあいだの境界部に複数のメサ(4)が構成されていることを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップ。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 B

F-Term (21)：

5F041AA03 , 5F041AA41 , 5F041CA03 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA37 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA76 , 5F041CA77 , 5F041CA82 , 5F041CA85 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CB03 , 5F041CB05 , 5F041CB15 , 5F041CB22 , 5F041CB23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

発光ダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-141641 Applicant：日立電線株式会社
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-221772 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-063478

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