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J-GLOBAL ID：200903029134478377

超電導体の捕捉磁場のコントロール方法

Inventor：
尾作 仁司

About 尾作 仁司


Applicant, Patent owner：
財団法人鉄道総合技術研究所

About 財団法人鉄道総合技術研究所


Agent (2)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003025213
Publication number (International publication number)：2004235585
Application date： Jan. 31, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：
【課題】本発明は、捕捉磁場割れを生じている超電導バルク体についても有効に利用することができる技術の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、超電導バルク体1に対して他の超電導バルク体2を1つまたは2つ以上、それらを厚さ方向に重ね、先の超電導バルク体1の捕捉磁場分布に他の超電導バルク体2で磁気的に影響を与えて先の超電導バルク体1が単独で有していた捕捉磁場分布をこれらの合成としての捕捉磁場分布に調整することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
超電導バルク体に対して他の超電導バルク体を1つまたは2つ以上、それらを厚さ方向に重ね、先の超電導バルク体の捕捉磁場分布に他の超電導バルク体で磁気的に影響を与えて先の超電導バルク体が単独で有していた捕捉磁場分布をこれらの合成としての捕捉磁場分布に調整することを特徴とする超電導体の捕捉磁場のコントロール方法。
IPC (4)：
H01L39/00 ,  C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  H01B13/00
FI (4)：
H01L39/00 G ,  C01G1/00 S ,  C01G3/00 ,  H01B13/00 565D
F-Term (13)：
4G047JA02 ,  4G047JB02 ,  4G047JC02 ,  4G047KB04 ,  4G047KB20 ,  4G047LB10 ,  4M113BA21 ,  4M113CA34 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321DB28 ,  5G321DB52
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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