亜鉛酸化物の加工方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：花輪義男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004094319
Publication number (International publication number)：2005285890
Application date： Mar. 29, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：

【課題】真性亜鉛酸化物からなる半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタの製造に際し、半導体薄膜の加工精度を良くする。【解決手段】チャネル保護膜5を含む真性亜鉛酸化物からなる半導体薄膜形成用層11の上面にn型亜鉛酸化物からなるコンタクト層形成用層13およびアルミニウムからなるソース・ドレイン電極形成用層14を成膜し、その上面全体にレジスト層15を形成する。次に、露光後に、レジスト用現像液を用いて、レジストパターン15bを形成し、続いて、現像工程を続行し、すなわち、レジスト用現像液を用いて、ソース・ドレイン電極形成用層14、コンタクト層形成用層13および半導体薄膜形成用層11を同一装置内で連続してエッチングする。この場合、形成されるコンタクト層および半導体薄膜にサイドエッチングが生じにくいようにすることができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板上に亜鉛酸化物層を成膜する工程と、前記亜鉛酸化物層上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をレジスト用現像液を用いてエッチングしてレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記レジスト用現像液を用いて前記亜鉛酸化物層をエッチングする工程とを有することを特徴とする亜鉛酸化物の加工方法。

IPC (3)：

H01L21/306 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (3)：

H01L21/306 B , H01L29/78 618B , H01L29/78 627C

F-Term (31)：

5F043AA18 , 5F043BB30 , 5F043FF06 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK11 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HM02 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-252845 Applicant：カシオ計算機株式会社
特開平4-006284
特開昭63-094632