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J-GLOBAL ID：200903029373654632

半導体加速度センサ

Inventor： 齊藤 宏 ,  片岡 万士
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 安藤 淳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002342576
Publication number (International publication number)：2004177219
Application date： Nov. 26, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】精度よく加速度を測定することのできる半導体加速度センサを提供する。【解決手段】厚肉の錘部8と、その錘部8を離間して外囲するフレーム7と、上記フレーム7に上記錘部8を揺動自在に支持させる薄肉の可撓部6と、その可撓部6の撓み量に応じた電気信号を出力する上記可撓部6に形成したピエゾ抵抗9と、上記ピエゾ抵抗9からの出力を取り出す電極とを備えた半導体加速度センサにおいて、上記錘部8に、その厚み方向の全長に貫通する放熱孔11を形成してなる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

厚肉の錘部と、軸方向の両端に開口面を有し、上記錘部を離間して外囲する略筒状のフレームと、 上記フレームに上記錘部を揺動自在に支持させる薄肉の可撓部と、 その可撓部の撓み量に応じた電気信号を出力する上記可撓部に形成した抵抗体と、 上記抵抗体からの出力を取り出す電極と、 上記フレームの一方の開口面に接合する接合面を有するシート状の台座とを備えた半導体加速度センサにおいて、 上記錘部に、その厚み方向の全長を貫通する放熱孔を形成したことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P15/12 ,  H01L29/84

FI (2)：

G01P15/12 D ,  H01L29/84 A

F-Term (22)：

4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA27 ,  4M112CA34 ,  4M112CA36 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA10 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA10 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA01 ,  4M112FA07 ,  4M112FA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• ピエゾ抵抗変化検出方式センサ、モジュール、振動検出機能付き機器、ボイラの物理量検出装置、気体用物理量検出装置及び異常状態検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-136632   Applicant：オムロン株式会社
• 特開平1-301176
  
• 半導体式加速度センサおよびその評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-022466   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体加速度センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-313550   Applicant：株式会社フジクラ
• 加速度センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-117178   Applicant：松下電工株式会社