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J-GLOBAL ID：200903029531203163

電子放出装置、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法

Inventor： 室山 雅和 ,  齋藤 一郎 ,  井上 浩司 ,  八木 貴郎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000373425
Publication number (International publication number)：2002197965
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】カソード電極の所望の部位に確実に炭素薄膜が形成された冷陰極電界電子放出素子を提供する。【解決手段】冷陰極電界電子放出素子は、支持体10上に形成されたカソード電極11、及び、カソード電極11の上方に形成され、開口部14を有するゲート電極13から成り、少なくとも、開口部14の底部に位置するカソード電極11の部分の表面に形成された炭素薄膜選択成長領域20、及び、炭素薄膜選択成長領域20上に形成された炭素薄膜23から成る電子放出部を更に備えている。

Claim (excerpt)：

(a)炭素薄膜選択成長領域が表面に形成された導電体層、及び、(b)炭素薄膜選択成長領域上に形成された炭素薄膜から成る電子放出部、から構成されていることを特徴とする電子放出装置。

IPC (4)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F

F-Term (9)：

5C031DD17 ,  5C036EE01 ,  5C036EE02 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電子放出素子及び画像表示装置及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-297107   Applicant：キヤノン株式会社
• カーボンナノチューブの製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-008461   Applicant：キヤノン株式会社
• カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-305512   Applicant：キヤノン株式会社