半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：最上健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996086024
Publication number (International publication number)：1997252022
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】低価格化及び小型化を実現できるようにした半導体装置を提供する。【解決手段】 Si 基板1の表面側に半導体素子形成部2を設け、該Si 基板1の表面に絶縁膜3を形成する。該絶縁膜3の半導体素子形成部上に開口部4を形成して、Al-Si からなる第1の配線層5を形成し、該第1の配線層5の上部には層間絶縁膜6を形成する。該層間絶縁膜6には開口部7を形成して該層間絶縁膜6の上部にAl-Si からなる第2の配線層8を形成し、更に第2の配線層8の上部の一部に、無電解メッキによるNi-Pからなるハンダ付用電極部10を形成し、電極部以外の第2の配線層8及び層間絶縁膜6の上部に表面保護膜9を形成して、半導体装置11を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体素子と該半導体素子に対する配線層と該配線層に対する電極部とを基板上に一体的に形成すると共に、前記電極部に外部信号線を直接ハンダ付けして構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/60 311 , C23C 18/16 , C23C 18/32 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/321

FI (6)：

H01L 21/60 311 Q , C23C 18/16 B , C23C 18/32 , H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 T , H01L 21/92 621 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-314021 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
基板搬送装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-324023 Applicant：株式会社ニコン
半導体装置の電極装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-077396 Applicant：日本電装株式会社

Show all

Return to Previous Page