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J-GLOBAL ID：200903029606816590

窒化炭素多孔体およびその製造方法

Inventor： ビヌ・アジャヤン ,  有賀 克彦 ,  デミトリー・ゴルバーグ ,  板東 義雄 ,  森 利之 ,  中西 尚志
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004316596
Publication number (International publication number)：2006124250
Application date： Oct. 29, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】 意図した窒素含有量を有する窒化炭素多孔体を容易に製造する方法を提供すること。【解決手段】 窒化炭素多孔体(MCN)を製造する方法は、シリカ多孔体と窒素源と炭素源とを混合する工程と、混合する工程によって得られた混合物を加熱する工程と、加熱する工程によって得られた反応物からシリカ多孔体を除去する工程とを包含する。加熱する工程は、第1の温度で混合物を重合化する工程と、第1の温度よりも高い第2の温度で混合物を炭化する工程とをさらに包含する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

窒化炭素多孔体(MCN)を製造する方法であって、 シリカ多孔体と窒素源と炭素源とを混合する工程と、 前記混合する工程によって得られた混合物を加熱する工程と、 前記加熱する工程によって得られた反応生成物から前記シリカ多孔体を除去する工程と を包含する、方法。

IPC (1)：

C01B 21/082

FI (1)：

C01B21/082 K

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 含窒素炭素系多孔体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-335519   Applicant：株式会社豊田中央研究所

Cited by examiner (3)

• 含窒素炭素系多孔体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-335519   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 新規メソポーラス炭素構造体の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-381293   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 非晶質膜および非晶質膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-296243   Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Rapid,facile synthesis of nitrogen-rich carbon nitride powders