ポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002043492
Publication number (International publication number)：2002323768
Application date： Feb. 20, 2002
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】レジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変動が改善されたポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物を提供する。【解決手段】特定構造の酸分解性基を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する下記一般式(X)の樹脂、及び活性放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。(一般式(X)中、R1及びR2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。R3及びR4は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Zは、置換基を有していてもよいフェニル基又は脂環基を表す。mは1〜20の整数を表す。)

Claim (excerpt)：

(a)下記一般式(X)で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び(b)活性放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。【化1】一般式(X)中、R1及びR2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。R3及びR4は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Zは、置換基を有していてもよいフェニル基又は脂環基を表す。mは1〜20の整数を表す。

IPC (4)：

G03F 7/039 601 , C08F 8/00 , C08F 12/22 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 601 , C08F 8/00 , C08F 12/22 , H01L 21/30 502 R

F-Term (32)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025FA17 , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100BA02H , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA04Q , 4J100BC02H , 4J100BC43H , 4J100BC43Q , 4J100CA04 , 4J100CA27 , 4J100DA09 , 4J100HA19 , 4J100HA61 , 4J100HB25 , 4J100HC13 , 4J100HC71 , 4J100HE14 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-082407 Applicant：富士写真フイルム株式会社
新規なレジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-353490 Applicant：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-187833 Applicant：日本ゼオン株式会社

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