炭化珪素半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002041704
Publication number (International publication number)：2003243653
Application date： Feb. 19, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】熱酸化膜の厚さを薄く抑えつつMOS界面の界面準位密度を低減して素子性能を向上させた炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 SiC基板の表面に熱酸化膜15を形成する工程と、この熱酸化膜15の上に、ポリシリコン膜16を形成する工程と、ポリシリコン膜を酸化させて絶縁膜17を形成する工程とを備え、熱酸化膜15と絶縁膜17とでゲート絶縁膜18を構成するようにした。

Claim (excerpt)：

炭化珪素半導体基板表面に熱酸化膜を形成する工程と、前記熱酸化膜の上に絶縁膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 658 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

金属、酸化膜及び炭化珪素半導体からなる積層構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-027979 Applicant：日本原子力研究所
化合物膜の形成方法及び半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-099224 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭63-262871

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