炭化珪素半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001017263
Publication number (International publication number)：2002222950
Application date： Jan. 25, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】炭化珪素よりなる絶縁ゲート型の電界効果トランジスタにおいて、さらなるオン抵抗低減を図る。【解決手段】炭化珪素からなる表面チャネル層5の上に熱酸化膜で構成される結合膜7aを形成したのち、この結合膜7aの上にLTO膜7bをデポジションすることで、ゲート絶縁膜7を形成する。このように、LTO膜7bの形成前に結合膜7aを形成しておくことで、LTO膜7bと表面チャネル層5との界面を良好にすることが可能となる。このため、チャネル移動度を向上させることができ、オン抵抗低減を図ることができる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素からなる半導体層(5)が備えられた基板を用意し、前記半導体層上に絶縁膜(7b)を堆積させて形成する炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を堆積させる前に、前記半導体層と前記堆積膜とを結合させるための結合層(7a)を前記半導体層上に形成する結合層形成工程を有していることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (8)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 653 A , H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 Q , H01L 29/78 658 F

F-Term (18)：

5F040DA01 , 5F040DA22 , 5F040DC02 , 5F040DC10 , 5F040EB13 , 5F040EC07 , 5F040ED01 , 5F040ED02 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040EE04 , 5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BC02 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

化合物膜の形成方法及び半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-099224 Applicant：三洋電機株式会社
絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-184440 Applicant：松下電器産業株式会社
炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-077876 Applicant：株式会社デンソー

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Process Dependence of Inversion Layer Mobility in 4H-SiC Devices

Return to Previous Page