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J-GLOBAL ID：200903029773408770

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor：
浅野 英樹

About 浅野 英樹


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996053134
Publication number (International publication number)：1997246665
Application date： Mar. 11, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：
【要約】【課題】 半導体レーザの製造工程において、クラッド層の一部をエッチングによって逆メサ形状のリッジに形成する際、リッジ部側壁に(111) 面が露出しないようにする。【解決手段】 n-GaAs基板1上にn-InGaP クラッド層2、GaAsバリヤ層3、InGaAsウェル層4、GaAsバリヤ層5、p-InGaP クラッド層6、p-GaAsエッチングストップ層7、p-InGaP クラッド層8、p-GaAsキャップ層9を連続成長し、絶縁膜をマスクとして、p-GaAsキャップ層9およびp-InGaP クラッド層8を順次選択エッチングする。この際、p-GaAsキャップ層9のエッチングには硝酸を用い、P-InGaP クラッド層8のエッチングには塩酸と酢酸の混合酸を用いて、逆メサ形状のリッジをその両側面がリッジ長さ方向に垂直な面において凹面状となるように形成する。
Claim (excerpt)：
第一導電型半導体基板上に少なくとも第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層がこの順に形成され、前記第二導電型クラッド層の一部に逆メサ状のリッジが形成され、このリッジの両脇に第一導電型電流阻止層が形成されている半導体レーザにおいて、前記リッジの両側面が該リッジの長さ方向に垂直な面内において凹面状に湾曲していることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
  • 特開昭62-066694
  • 特開昭62-066694
  • 半導体レーザの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-002112   Applicant：株式会社東芝
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