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J-GLOBAL ID：200903029812856670

誘電体薄膜をCVD形成するための金属アミド前駆体およびアミノシラン前駆体

Inventor： バウム,トーマス,エイチ. ,  シュ,チョンジン ,  ヘンドリックス,ブライアン,シー. ,  レーダー,ジェフリー,エフ.
Applicant, Patent owner： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002577835
Publication number (International publication number)：2004529495
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：

式M(NR1R2)xまたは(I)〔式中、Mは、Zr、Hf、Z、La、ランタニド系列元素、Ta、Ti、またはAlであり、Nは窒素であり、R1およびR2のそれぞれは、同一であるかまたは異なっており、独立して、H、アリール、ペルフルオロアリール、C1〜C8アルキル、C1〜C8ペルフルオロアルキル、アルキルシリルから選択され、xは金属Mの酸化状態である。〕で示される金属アミド化合物と、式HxSiAy(NR1R2)4-x-yまたは(II)〔式中、Hは水素であり、xは0〜3であり、Siはケイ素であり、Aはハロゲンであり、Yは0〜3であり、Nは窒素であり、R1およびR2のそれぞれは、同一であるかまたは異なっており、独立して、H、アリール、ペルフルオロアリール、C1〜C8アルキル、およびC1〜C8ペルフルオロアルキルからなる群より選択され、nは1〜6である。〕で示されるアミノシラン化合物と、を用いて、基板上にゲート誘電体薄膜を形成するCVD法。標準的なSiO2ゲート誘電体材料と比較して、これらのゲート誘電体材料を用いると、炭素およびハロゲン化物の不純物レベルが低くなる。

Claim (excerpt)：

基板上に薄膜誘電体を形成するためのCVD前駆体組成物であって、 M(NR1R2)xおよび

IPC (2)：

H01L21/316 ,  C23C16/40

FI (2)：

H01L21/316 X ,  C23C16/40

F-Term (22)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  5F058BA05 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 電界効果トランジスタとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-210732   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭61-069969
  
• 特開昭61-069969
  
• 有機アミノタンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用溶液原料並びにこれから作られる窒化タンタル膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-006237   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 誘電体膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-235569   Applicant：松下電子工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Application of Penta-Di-Methyl-Amino-Tantalum to a Tantalum Source in Chemical Vapor Deposition of T