誘電体膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997235569
Publication number (International publication number)：1999074478
Application date： Sep. 01, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】均質な高誘電体膜を成膜できるようにすると共に、均質な高誘電体膜を用いて特性が優れた半導体装置を製造できるようにする。【解決手段】層間絶縁膜11の上には、ポリシリコンからなり、有底円筒形状を有する下部電極12と、アルコキシ系有機タンタルとアルコキシ系有機チタンとを原料とするMOCVD法を用いて形成され、タンタルとチタンとのモル比が約9対1の五酸化タンタル及び二酸化チタンの混合物からなり、層間絶縁膜11の上における下部電極12の周辺部並びに下部電極12における底面、内側面及び外側面の各面上に膜厚が10nmで均一な誘電体膜13Aと、窒化チタンからなり誘電体膜13Aの上に形成された上部電極14とから構成されるキャパシタが形成されている。

Claim (excerpt)：

アミノ系有機タンタルを含む原料ガスを該原料ガスの分解温度以上の温度に加熱された半導体基板の主面上で加熱分解すると共に、前記半導体基板の主面上に解離したタンタルを酸素系ガスを用いて酸化することにより、前記主面上にタンタル酸化物からなる誘電体膜を形成することを特徴とする誘電体膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

半導体の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-082985 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
半導体装置の酸化膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-057618 Applicant：株式会社高純度化学研究所
半導体記憶装置のキヤパシタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197240 Applicant：ソニー株式会社

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