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J-GLOBAL ID：200903030122214976
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び発光素子
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005054966
Publication number (International publication number)：2006245062
Application date： Feb. 28, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：
【課題】基板上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体素子チップを歩留り良く分割する。【解決手段】サファイア基板10上にIII族窒化物系化合物半導体層から成る素子層30を形成し、素子層が形成されている側の第2の面12に第2の分離溝22が形成される。少なくとも3段にレーザの照射による加工変質部が断続的に形成された破断線51〜55が形成される。第1の面11上の分割線上に第1の分離溝21がスクライビングで形成される。第1の分離溝21に最も近い最上段の加工変質部分の破断線51は、第1の分離溝に対して60μm以下の間隔とし、第2の分離溝22に最も近い最下段の加工変質部分の破断線55は、第2の分離溝に対して60μm以下の間隔とし、各段の加工変質部分の破断線間の間隔は150μm以下とした。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
III族窒化物系化合物半導体の積層されたサファイア基板を分離して個々のIII 族窒化物系化合物半導体素子とする製造方法において、
前記サファイア基板の内部であって、チップに分割する分離予定面に沿ってパルスレーザを集光させて多光子吸収を発生させることにより、加工変質部分をこの分離予定面に沿って破断線状に形成する工程と、
前記サファイア基板の第1の面において前記分離予定面と第1の面との交線に沿って第1の分離溝をスクライビングにより形成する工程と、
を有し、
前記加工変質部分は、前記分離予定面上の前記サファイア基板の厚さ方向に沿って、少なくとも2段の破断線として形成され、
前記第1の分離溝に最も近い最上段の加工変質部分の破断線は、前記第1の分離溝に対して60μm以下の間隔とし、外力を加えることにより、前記分離予定面で前記サファイア基板を分離することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L33/00 C
, H01L21/78 B
, H01L21/78 V
5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CA76
, 5F041CA77
Cited by applicant (3)
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窒化物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-328665
Applicant：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-345937
Applicant：日亜化学工業株式会社
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レーザ加工方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-278663
Applicant：浜松ホトニクス株式会社
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