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J-GLOBAL ID：200903030135765904

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 倉橋 孝尚 ,  細羽 弘之 ,  中津 弘志 ,  村上 哲朗
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999238225
Publication number (International publication number)：2001068727
Application date： Aug. 25, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 発光波長の放射角依存性が小さい半導体発光素子を提供する【解決手段】 n型GaAs基板1上に、所定の間隔を置いて、n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5AsのDBR層3及びp型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5PのDBR層7を、反射スペクトルの中心が650nmであり共振波長も650nmになるように形成する。量子井戸活性層(発光層)5を、両DBR層3,7で成る共振器中に生じる定在波の腹の位置に発光ピーク波長が650nmになるように形成する。p型電極12に囲まれた光出射面としてのp型Al0.5Ga0.5As光散乱層10の表面に格子パターン15を形成する。こうして、光出射面を粗面化することによって発光層5から放射された光を種々の方向に散乱させ、発光波長の放射角依存性を小さくする。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に所定の間隔を有して形成された一対の多層反射膜で成る共振器と、上記共振器内における定在波の腹の位置に形成された発光層を有する半導体発光素子において、上記発光層に対してGaAs基板とは反対側に位置する上記多層反射膜上には、層数が1以上であって最上層の表面が粗面化されている半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

F-Term (11)：

5F041AA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93 ,  5F041CB03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-100215   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-236258   Applicant：株式会社東芝
• 高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-212134   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, ブレイエ・ユニバージテイト・ブリュッセル

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-100215   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-236258   Applicant：株式会社東芝
• 高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-212134   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, ブレイエ・ユニバージテイト・ブリュッセル