半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999055703
Publication number (International publication number)：2000252236
Application date： Mar. 03, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】ダイシングによって生じる半導体チップへの銅の付着や半導体チップに付着した銅の素子領域への拡散を防止する。【解決手段】リソグラフィ工程の露光時に用いる位置合わせマーク15を銅又は銅を主成分とした配線材料を用いて形成する場合、位置合わせマーク全体をダイシングによって切断され得る切断領域13外の領域に形成する。

Claim (excerpt)：

リソグラフィ工程の露光時に用いる位置合わせマークを銅又は銅を主成分とした配線材料を用いて形成する半導体装置の製造方法であって、前記位置合わせマーク全体をダイシングによって切断され得る切断領域外の領域に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-344732 Applicant：株式会社東芝
特開平4-315446
特開昭61-166129

Show all

Return to Previous Page