光半導体素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：平木祐輔 , 関谷三男 , 渡辺敏章 , 今村健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007219890
Publication number (International publication number)：2009054780
Application date： Aug. 27, 2007
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：

【課題】サファイア基板上にAlGaN系の材料との格子整合性の良いバッファ層を配置し、深紫外光LEDのの発光強度を高める。【解決手段】サファイア基板上のAlN高品質バッファは、AlN核形成層3と、パルス供給AlN層5と、連続成長AlN層7とを有している。連続成長AlN層7上には、パルス供給AlN層11と連続成長AlN層15との組が少なくとも1組形成されている。AlN層3は、NH3パルス供給法を用い第1の成長モードである初期核形成モードで成長している。パルス供給AlN層5は、NH3パルス供給を用い第2の成長モードであるグレインサイズを拡張し、転位を低減する低速成長モードで形成され、転位を低減するとともに、核成長層3を埋め込むことができる。連続成長AlN層7は、高速縦方向成長モードであり、平坦性を向上させるとともにクラックの発生を抑制するモードである。【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

基板に形成されたIII-V族層であって、前記基板側から順番に、核形成層と、III族のソースを供給しながらV族のソースを時間的にパルス状に供給するパルス供給により形成したV族ソースパルス供給層と、III族とV族とのソースを連続して供給することにより形成した連続供給層と、を有するIII-V族層であって紫外波長領域で発光可能な発光素子構造に適したバッファ層を形成するIII-V族層と、を備えたことを特徴とする半導体構造。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L33/00 C , H01L21/205

F-Term (10)：

5F041AA04 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF09 , 5F045DA53

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217875 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

III族窒化物半導体膜の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-274399 Applicant：工業技術院長
窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-135604 Applicant：ローム株式会社

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