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J-GLOBAL ID：200903030487076653

レジストフロー工程用フォトレジスト組成物、及びこれを利用したコンタクトホールの形成方法

Inventor： 李 根 守 ,  金 珍 秀 ,  金 炯 秀 ,  白 基 鎬
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000335989
Publication number (International publication number)：2001188350
Application date： Nov. 02, 2000
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 レジストフロー工程(Resist Flow Process)用フォトレジスト樹脂、フォトレジスト組成物、及びこれを利用したコンタクトホールの形成方法を提供する。【解決手段】 物性の異なる二つ以上のポリマーを適切な比率で混合したフォトレジスト樹脂を含むフォトレジスト組成物を利用してレジストフロー工程を行う。

Claim (excerpt)：

フォトレジスト樹脂と、光酸発生剤(photo acid generator)と、有機溶媒でなるフォトレジスト組成物において、前記フォトレジスト樹脂は下記化学式1a又は化学式1bの単量体を含む第1共重合体、及び下記化学式2a又は化学式2bの単量体を含む第2共重合体を含む混合樹脂であることを特徴とするフォトレジスト組成物【化1】【化2】【化3】【化4】前記式で、R2は水素、置換又は非置換されたC1-C10の直鎖又は側鎖アルキル基、或いはアリル基であり;R8は水素又はメチル基であり;R17は酸に敏感な保護基であり;R及びR’はそれぞれ置換、又は非置換されたC0-C10の直鎖又は側鎖アルキレンであり;x及びyはそれぞれ1又は2である。

IPC (6)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (8)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-229160   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 感放射線性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-045109   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• レジストパタンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-280783   Applicant：沖電気工業株式会社
• フォトレジストを用いるホールパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080519   Applicant：三菱化学株式会社